可控硅的使用10條黃金法則

規(guī)則1. 為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ，直至負載電流達到≧ IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。 

規(guī)則2. 要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流必須<IH, 并維持足夠長的時間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。 

規(guī)則3. 設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）。 

規(guī)則4. 為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 

規(guī)則5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。  若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。 另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅

規(guī)則6. 假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一： 負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；  用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。 

規(guī)則7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。 

規(guī)則8. 若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。 

規(guī)則9. 器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 

規(guī)則10. 為了長期可靠工作，應保證Rth j-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax ,其值相應于可能的最高環(huán)境溫度