單向可控硅（晶閘管）結(jié)構(gòu)介紹-環(huán)昕微實(shí)業(yè)
1. P型半導(dǎo)體
因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。
在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì) 因而也稱(chēng)為受主雜質(zhì)。
2. N型半導(dǎo)體
因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周?chē)膫€(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無(wú)共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。
在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱(chēng)為施主雜質(zhì)。
3.PN結(jié)形成
在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。 這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。
于是，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動(dòng)，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動(dòng)的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，就是所謂的PN結(jié)。
單向可控硅是以N型硅單晶為基本材料，通過(guò)復(fù)雜的制造工藝在硅單晶體內(nèi)有序、有選擇的參入三價(jià)雜質(zhì)（如硼、鎵、鋁等，形成P型層）和五價(jià)雜質(zhì)（如磷、砷等，形成N型層），從而形成PNPN四層三端器件。它的特性類(lèi)似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)“晶閘管”（thyristor），又因?yàn)榫чl管最初應(yīng)用在靜止整流方面，所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為“可控硅”（SCRs）。
它是由PNPN四層半導(dǎo)構(gòu)成，有三個(gè)PN結(jié)、有三個(gè)電極（陽(yáng)極A、陰極K和控制極G）。
∷
環(huán)昕微實(shí)業(yè)
