科技創(chuàng)新

可控硅應(yīng)用設(shè)計(jì)中注意限制電流上升率di/dt的保護(hù)

可控硅導(dǎo)通瞬間，電流上升率di/dt很大，當(dāng)電流還來不及擴(kuò)大到可控硅內(nèi)部結(jié)的全部面積時(shí)，門極附近已出現(xiàn)局部過熱而造成的損壞。電路中的電容量越大，di/dt也就越大。為此，在整流或者逆變電路中都要考慮限制di/dt的問題。

整流電路中如有變壓器，其漏感雖對(duì)di/dt有一定的限制作用，但若變壓器二次側(cè)所接的RC吸收電路阻抗值過小或元件相并聯(lián)時(shí)，可控硅仍有可能在換流期間因di/dt過大而損壞。為此可在每只可控硅元件上串入電感L，以限制di/dt＜10A/μs。

限制電感L的選擇：

1、一般電路：

L=U2m/10（μH）

式中：U2m—加于可控硅正向電壓峰值，即變壓器二次電壓峰值（V）。

2、逆變電路：

50A以上的可控硅，L最好采用飽和電抗器，使限流電感在小電流時(shí)可限制di/dt＜10A/μs，而在最大電流時(shí)，鐵心飽和，其電感量能滿足在關(guān)閉可控硅正向電流到零后，可在2μs內(nèi)使反向電流等于正向電流幅值。飽和電抗器的電感量為

最大電流時(shí)

L=U2m/IT(μH)

最小電流時(shí)

L=U2m/10(μH)

式中：IT—可控硅通態(tài)平均電流（A）。

上一篇：可控硅電壓保護(hù)選擇？下一篇：設(shè)計(jì)可控硅線路為什么加RC吸收回路

聯(lián)系人：劉經(jīng)理

手機(jī)：18926008145

電話：0769-88461176

郵箱：style@huanxinwei.com

地址：東莞市高埗鎮(zhèn)高埗稍潭村理文街第A24座2號(hào)