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晶閘管參數(shù)解釋含義

1．正向平均電流IF(AV)( 整流管)
通態(tài)平均電流IT(AV)( 晶閘管)
是指在規(guī)定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC 時,允許流過器件的最大正弦半波電流平均值。此時，器件的結(jié)溫已達到其最高允許溫度Tjm。臺基公司產(chǎn)品手冊中均給出了相應(yīng)通態(tài)電流對應(yīng)的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC值，用戶使用中應(yīng)根據(jù)實際通態(tài)電流和散熱條件來選擇合適型號的器件。
2．正向方均根電流IF（RMS）( 整流管)
通態(tài)方均根電流IT（RMS）( 晶閘管)
是指在規(guī)定的散熱器溫度THS或管殼溫度 TC 時,允許流過器件的最大有效電流值。用戶在使用中，須保證在任何條件下，流過器件的電流有效值不超過對應(yīng)殼溫下的方均根電流值。
3．浪涌電流IFSM(整流管)、ITSM(晶閘管)
表示工作在異常情況下，器件能承受的瞬時最大過載電流值。用10ms底寬正弦半波峰值表示，臺基公司在產(chǎn)品手冊中給出的浪涌電流值是在器件處于最高允許結(jié)溫下，施加80% VRRM條件下的測試值。器件在壽命期內(nèi)能承受浪涌電流的次數(shù)是有限的，用戶在使用中應(yīng)盡量避免出現(xiàn)過載現(xiàn)象。
4．斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM
反向不重復(fù)峰值電壓VRSM
     指晶閘管或整流二極管處于阻斷狀態(tài)時能承受的最大轉(zhuǎn)折電壓，一般用單脈沖測試防止器件損壞。用戶在測試或使用中，應(yīng)禁止給器件施加該電壓值，以免損壞器件。
5．斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM
反向重復(fù)峰值電壓VRRM
是指器件處于阻斷狀態(tài)時，斷態(tài)和反向所能承受的最大重復(fù)峰值電壓。一般取器件不重復(fù)電壓的90%標(biāo)注（高壓器件取不重復(fù)電壓減100V標(biāo)注）。用戶在使用中須保證在任何情況下，均不應(yīng)讓器件承受的實際電壓超過其斷態(tài)和反向重復(fù)峰值電壓。
6．?dāng)鄳B(tài)重復(fù)峰值（漏）電流IDRM
反向重復(fù)峰值（漏）電流IRRM
為晶閘管在阻斷狀態(tài)下，承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時，流過元件的正反向峰值漏電流。該參數(shù)在器件允許工作的最高結(jié)溫Tjm下測出。
7．通態(tài)峰值電壓VTM(晶閘管)
正向峰值電壓VFM(整流管)
指器件通過規(guī)定正向峰值電流IFM(整流管)或通態(tài)峰值電流ITM(晶閘管)時的峰值電壓，也稱峰值壓降。該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性，影響著器件的通態(tài)電流額定能力。
器件在不同電流值下的的通態(tài)（正向）峰值電壓可近似用門檻電壓和斜率電阻來表示：
VTM=VTO+rT*ITM     VFM=VFO+rF*IFM
臺基公司在產(chǎn)品手冊中給出了各型號器件的最大通態(tài)（正向）峰值電壓及門檻電壓和斜率電阻，用戶需要時，可以提供該器件的實測門檻電壓和斜率電阻值。
8．電路換向關(guān)斷時間tq（晶閘管）
在規(guī)定條件下，在晶閘管正向主電流下降過零后，從過零點到元件能承受規(guī)定的重加電壓而不至導(dǎo)通的最小時間間隔。晶閘管的關(guān)斷時間值決定于測試條件，臺基公司對所制造的快速、高頻晶閘管均提供了每只器件的關(guān)斷時間實測值，在未作特別說明時，其對應(yīng)的測試條件如下：
l         通態(tài)峰值電流ITM等于器件ITAV；
l         通態(tài)電流下降率di/dt=-20A/μs；
l         重加電壓上升率dv/dt=30A/μs；
l         反向電壓VR=50V；
l         結(jié)溫Tj=115°C。
如果用戶需要在某一特定應(yīng)用條件下的關(guān)斷時間測試值，可以向我們提出要求。
9．通態(tài)電流臨界上升率di/dt（晶閘管）
      是指晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)時，晶閘管所能承受的通態(tài)電流上升率最大值。器件所能承受的通態(tài)電流臨界上升率di/dt受門極觸發(fā)條件影響很大，因此我們建議用戶應(yīng)用中采用強觸發(fā)方式，觸發(fā)脈沖電流幅值：IG≥10IGT；脈沖上升時間：tr≤1μs。
10．斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt
在規(guī)定條件下，不會導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)所允許的最大正向電壓上升速度。臺基公司產(chǎn)品手冊中給出了所有品種晶閘管的最小dv/dt值，當(dāng)用戶對dv/dt有特殊要求時，可在訂貨時提出。
11．門極觸發(fā)電壓 VGT
門極觸發(fā)電流IGT
在規(guī)定條件下，能使晶閘管由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所需的最小門極電壓和門極電流。晶閘管開通過程中的開通時間、開通損耗等動態(tài)性能受施加在其門極上的觸發(fā)信號強弱影響很大。如果在應(yīng)用中采用較臨界的IGT去觸發(fā)晶閘管，將不能讓晶閘管得到良好的開通特性，某些情況下甚至?xí)鹌骷崆笆Щ驌p壞。因此我們建議用戶應(yīng)用中采用強觸發(fā)方式，觸發(fā)脈沖電流幅值：IG≥10IGT；脈沖上升時間：tr≤1μs。為了保證器件可靠工作，IG必須遠大于IGT。
12．結(jié)殼熱阻Rjc
指器件在規(guī)定條件下，器件由結(jié)至殼流過單位功耗所產(chǎn)生的溫升。結(jié)殼熱阻反映了器件的散熱能力，該參數(shù)也直接影響著器件的通態(tài)額定性能。臺基公司產(chǎn)品手冊中對平板式器件給出了雙面冷卻下的穩(wěn)態(tài)熱阻值，對半導(dǎo)體功率模塊，給出了單面散熱時的熱阻值。用戶須注意，平板式器件的結(jié)殼熱阻直接受安裝條件的影響，只有按手冊中推薦的安裝力安裝，才能保證器件的結(jié)殼熱阻值滿足要求。

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