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單向可控硅應(yīng)用電烙鐵功率調(diào)節(jié)器線(xiàn)路圖分析案

    圖I一5(a)所示的電路可以調(diào)節(jié)額定功率不大于100W的負(fù)載，其調(diào)節(jié)范圍為50-97％。如果用橋式整流代替D1．調(diào)節(jié)范圍則為0～95％，如圖I一5(b)所示。
該圖調(diào)節(jié)原理是：利用BG1、BG1組成振蕩電路和W、R3、C1組成移相電路。振蕩電流經(jīng)移相后去觸發(fā)單向可控硅SCR。改變W阻值即可改變C1的充電時(shí)間．達(dá)到移相目的，從而控制了SCR單向可控硅的導(dǎo)通角，完成調(diào)功任務(wù)。

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